Descripción del transductor de presión dinámica de alta frecuencia:
la alta frecuencia transductor de presión dinámica está especialmente diseñado para ingeniería militar, prueba de explosión química, investigación y explotación de petróleo, prueba de pozos de petróleo, materiales, mecánica, ingeniería civil, geomecánica, medicina traumática, prueba mecánica de energía hidráulica.
El transductor de presión dinámica adopta un chip de alto rendimiento de una empresa extranjera, utilizando tecnología de micromecanizado para permitir pequeñas dimensiones efectivas y alta frecuencia intrínseca del chip de silicio integrado. El transductor de presión dinámica tiene buenas propiedades mecánicas y elásticas, y su rendimiento integral es mejor que el del sensor de presión dinámica piezoeléctrico.
Características del transductor de presión dinámica:
* Recinto de acero inoxidable, con excelente resistencia a la corrosión
* Amplio rango de medición de presión
* Frecuencia intrínseca hasta 2MHz
* Trabajo estable
* Fuerte inmunidad a interferencias
* Módulo importado genuino con rendimiento estable
* Pequeñas dimensiones, peso ligero, una variedad de tipos y rendimiento de alto costo
* Amplia gama de medios medidos
Solicitud:
Parámetro técnico:
| Rango de medición | -100KPa~0~1KPa…20KPa…100MPa | |||
| Capacidad de sobrecarga | Dos veces la presión FS ((1,1 veces la presión FS para un producto de 100 MPa) | |||
| Tipo de presión | Presión manométrica o presión absoluta | |||
| Medio medido | Gas o líquido compatible con acero inoxidable 316 | |||
| Precisión general | ±0,1 %FS | ±0.25%FS | ±0.5%FS | |
| Frecuencia intrínseca | 150KHz~700KHz | 500KHz~1MHz | 1MHz~2MHz | |
| Ancho de banda del transductor | 0~1KHz~3KHz | 0~20 KHz | 0~200KHz | |
| Hora de levantarse | 0~0.2mS~75μS | 0~12μS | 0~1μS | |
| Estabilidad a largo plazo | Típico: ±0.1%FS/año | Máximo: ±0.2%FS/ año | ||
| Temperatura de funcionamiento | -40 ℃ ~ 85 ℃ generalmente | -10 ℃ ~ 250 ℃ especialmente | ||
| Deriva de la temperatura del punto cero | Típico: ±0.02%FS/℃ | Máximo: ±0.05%FS/℃ | ||
| Deriva de temperatura de sensibilidad | Típico:±0.02%FS/℃ | Máximo: ±0.05%FS/℃ | ||
| Rango de fuente de alimentación | 12~36 VCC (generalmente 24 VCC) | Fuente de alimentación conmutada estándar de ±15 VCC | ||
| Salida de señal | 4~20mA / 1~5 V CC / 0~5 V CC | |||
| Resistencia de carga | ≤(U-12)/0.02Ω | |||
| Grado de protección del recinto | tipo enchufable (IP65); tipo de cable (IP67) | |||
| Error de vibración | ≤±0.01%FS(Ejes X, Y, Z，200Hz/g) | |||
| puerto y recinto | Acero inoxidable 1Cr18Ni9Ti | |||
| junta tórica | Goma fluorescente | |||
| Sensor de diafragma | Acero inoxidable 316L o silicio monocristalino | |||
| Seguro a prueba de explosiones | Ex ia IICT6 | |||
| Resistencia de aislamiento | 100MΩ, 500V CC | |||
| Resolución | Infinito pequeño (teórico) 1/100000 (general) | |||
Información sobre pedidos:
| AP90T | Transductor de presión dinámica de alta frecuencia | ||||||
| Código | Tipo de presión | ||||||
| GRAMO | Presión manométrica (G, puede no estar indicado) | ||||||
| A | Presión absoluta (A) | ||||||
| Rango | (0~ X KPa o MPa) Rango de medición | ||||||
| Código | Ancho de banda del transductor | ||||||
| H1 | 0~1KHz~3KHz | ||||||
| H2 | 0~20 KHz | ||||||
| H3 | 0~200KHz | ||||||
| Código | Precisión general (lineal + repetibilidad + retraso) | ||||||
| 1 | ±0.5%FS | ||||||
| 2 | ±0.25%FS | ||||||
| 3 | ±0.1%FS | ||||||
| Código | Salida de señal | ||||||
| A1 | 4~20mA | ||||||
| V1 | 1~5V CC | ||||||
| V2 | 0~5V CC | ||||||
| Código | Funciones adicionales | ||||||
| F1 | Rosca exterior M20x1,5 | ||||||
| F2 | Rosca exterior G1/4 | ||||||
| F0 | Especial | ||||||
| W1 | Tipo de cable (IP67, 2m) | ||||||
| W2 | Tipo de enchufe (IP65, DIN 43650) | ||||||
| PAG | diafragma al ras | ||||||
| mi | Tipo a prueba de explosión intrínsecamente seguro Ex iaIICT5 | ||||||
| T1 | Campo libre (especialmente utilizado para voladuras) | ||||||
| T2 | Tipo resistente a altas temperaturas: hasta 250 ℃ para uso equilibrado, hasta 2000 ℃ para uso transitorio | ||||||
| AP90T（0~500KPa）—H1 —1 —V2 —F1 —W1 —E – T2 Transductor de presión dinámica de alta frecuencia | |||||||